收藏本站
IRF7523D1
Schottky Diode Characteristics
10
1
T J = 1 5 0 °C
T J = 1 2 5 °C
T J = 2 5 °C
160
Fig. 13 - Typical Values of Reverse
Current Vs. Reverse Voltage
140
120
100
V r = 80% R ated
R t h JA = 1 00°C /W
Sq uare wave
0.1
80
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8
V - F D ro - V
F o Forward Voltage Drop F M V (V (V)
1.0
60
40
D
D
D
D
= 3/4
= 1/2
= 1/3
= 1/4
Fig. 12 -Typical Forward Voltage Drop Characteris-
tics
20
0
D
= 1/5
DC
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
A v era ge F orw ard C urrent - I F(AV ) (A )
Fig.14 - Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
6
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7524D1TR MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
IRF7526D1PBF MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
IRF7526D1TR MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
IRF7601TR MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
IRF7603TR MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
IRF7604TRPBF MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
IRF7604TR MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
IRF7607 MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
相关代理商/技术参数
IRF7523D1TRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7524D1 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7524D1GPBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7524D1GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -1.7A 270mOhm 5.4nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7524D1PBF 功能描述:MOSFET FETKY -20V 0.27Ohm Vf 0.39V Micro8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7524D1TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7524D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -1.7A 270mOhm 5.4nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7526D1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件